TS3USB221EDRCR USB Switch ICs Hi-Spd USB 2.0 1:2 Mux/DeMux Sw วงจรบูรณาการ
ประเภท:
วงจรรวม ICS
ราคา:
Email us for details
วิธีการชำระเงิน:
เพย์พาล, TT, เวสเทิร์นยูเนี่ยน
รายละเอียด
รหัสวันที่:
รหัสใหม่ล่าสุด
จัดส่งโดย:
ดีเอชแอล/ยูพีเอส/เฟดเอ็กซ์
สภาพ:
ใหม่*เดิม
การรับประกัน:
365 วัน
ไร้สารตะกั่ว:
เป็นไปตาม RoHS
เวลานำ:
จัดส่งทันที
แพ็คเกจ:
VSON-10
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
เน้น:
TS3USB221EDRCR
,TS3USB221EDRCR USB Switch ICs
คําแนะนํา
TS3USB221EDRCR USB Switch ICs Hi-Spd USB 2.0 1:2 Mux/DeMux Sw วงจรบูรณาการ
| เครื่องมือเท็กซัส | |
| ประเภทสินค้า: | เครื่องสวิทช์ IC USB |
| RoHS: | รายละเอียด |
| USB 2.0 มัลติเพล็กเซอร์/เดมัลติเพล็กเซอร์ | |
| 2 x 1:2 | |
| 6 โอม | |
| 30 ns | |
| 17 ns | |
| 2.3 V ถึง 3.6 V | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| SMD/SMT | |
| VSON-10 | |
| รีล | |
| ตัดเทป | |
| MouseReel | |
| ความกว้างแบนด์วิด: | 1 GHz |
| ยี่ห้อ: | เครื่องมือเท็กซัส |
| ชุดการพัฒนา: | TS3USB221EEVM |
| อ่อนไหวต่อความชื้น: | ใช่ |
| จํานวนสวิตช์: | 2 เปลี่ยน |
| กระแสไฟฟ้าการทํางาน: | 30 uA |
| ประเภทสินค้า: | เครื่องสวิทช์ IC USB |
| ซีรี่ย์: | TS3USB221E |
| หมวดย่อย: | เครื่องสลับ IC |
| ความดันไฟฟ้า - Max: | 3.6 V |
| ความดันไฟฟ้า - นาที: | 2.3 V |
| น้ําหนักหน่วย: | 0.001386 oz |
คําอธิบาย
TS3USB221E เป็นสวิทช์ความกว้างขวางความถี่สูง ที่ถูกออกแบบมาเพื่อการสวิทช์ความเร็วสูง
สัญญาณ USB 2.0 ในมือถือและการใช้งานของผู้บริโภค เช่น โทรศัพท์มือถือ กล้องดิจิตอล
และคอมพิวเตอร์พับที่มีฮับหรือคอนโทรเลอร์ที่มี I/O USB จํากัด ความกว้างของแบนด์วิท (1 GHz) ของสวิตช์นี้
อุปกรณ์ multiplexes ผลิตความแตกต่าง
จากอุปกรณ์โฮสต์ USB ไปยังหนึ่งในสองผลิตที่ตรงกัน
TS3USB221E ถูกออกแบบมาเพื่อใช้งานในระดับบิตต่ํา
มีความสับสนเล็กน้อยและความแยกเสียงจากช่องต่อช่องสูง และเข้ากันได้กับมาตรฐานต่างๆ เช่น
ความเร็วสูง USB 2.0 (480 Mbps)
TS3USB221 E รวมเซลล์ป้องกัน ESD บนปินทั้งหมด
3 มม) และอัดกระป๋อง 2 มม> 1.5 มม) และมีลักษณะมากกว่าอุณหภูมิอากาศ
ระยะจาก - 40 °C ถึง 85 °C
ลักษณะ
●การทํางาน Vcc ของ 2.3 V ถึง 3.6 V
●เครื่องสลับ l/O รับสัญญาณสูงสุด 5.5 V
●1.8 วอลต์เข้าที่เข้าได้กับปินควบคุม
●โหมดพลังงานต่ํา เมื่อ OE Is ปิด (1 μA)
●ron= 6 Q มากที่สุด
●OroN = 0.2 Q แบบ
●Cio ((on) = 7 pF สูงสุด
●การบริโภคพลังงานต่ํา (สูงสุด 30 μA)
●ผลประกอบการ ESD ที่ได้รับการทดสอบตาม JESD 22
---7000-V รูปแบบร่างกายมนุษย์ ((A114-B, Class I)
一1000-V เครื่องชาร์จแบบ (C101)
●ผลประกอบการ ESD / O port ไปยัง GND
---12-KV รูปแบบร่างกายมนุษย์ (A114-B, Class I)
--- +7- kV การปล่อยไฟ (IEC 61000-4-2)
●ความกว้างของแบนด์เบดสูง (เฉพาะ 1 GHz)
การใช้งาน
●ร่องทางสัญญาณสําหรับ USB 1.0, 1.1และ 2.0
●โทรศัพท์มือถือ
●กล้องดิจิตอล
●หนังสือพิมพ์
●USB I/0 ขยาย
●MHL 1.0
ส่ง RFQ
สต็อค:
MOQ:
1pcs
